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[자연과학] 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)

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작성일 24-06-28 05:15

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전자전기설계實驗(실험) - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)

( 목 차 (

Abstract.
Introduction
Materials & Methods
Result
Discussion
Conclusion

Abstract (
이번 實驗(실험)은 transistor 2N7000의 property(특성)을 알아보고, 이것을 사용한 Common-Source 증폭기 회로를 직접 구현해보고 그 property(특성)을 이해한다. 온도가 80도일 때도 Rs 〓 0 일경우 Rg1을 18M로 alteration(변화) 시켰을 때 VGS IDS 값이 비슷하게 나왔다. 實驗(실험)한 결과,

Introduction (
2N7000

결과 예측
VGS〓-5.348nV IDS〓 16.03pA VGS〓-12.943nV IDS〓 31.22pA (온도 : 80도) Rs 〓 0 일경우 Rg1을 18M로 alteration(변화) 시켰을 때 VGS
IDS 값이 비슷하게 나왔다.
Materials & Methods (
( 實驗(실험)도구 (
Function Generator, Oscilloscope, Power Supply, Multi-meter, 와이어, 빵판, 500Ω 2kΩ 10kΩ 20kΩ 1MΩ 6.7MΩ 저항, 2N7000, 47uF 캐패시터 3개

( 實驗(실험)내용 (
[1-1] 사전보고서의 내용에 따라 Common-Source Amplifier를 설계하시오.
[1-2] MOS transistor가 Saturation 동작 영역에 있음을 검증하시오.
[2-1] 사전 보고서의 내용에 따라 [2-1~4]의 實驗(실험)을 수행하여 RS의 역할…(drop)

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