[工學]전자회로실험 - CE 구성의 특성곡선 및 측정
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작성일 23-09-19 13:58
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[工學]전자회로실험 - CE 구성의 특성곡선 및 측정
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설명
결과 보고서
1. 實驗(실험) title proper(제목)
CE 구성의 property(특성)곡선 및 측정(測定)
2. 實驗(실험) 목적
transistor의 접속 중 CE접속을 이용하여 회로를 구성, 그에 따른 각 저항 및 소자에서 출력되는 전류, 전압을 측정(測定) 하여 TR의 동작을 이해한다.
pcpice , theory 계산으로 나온 값과 실제 實驗(실험)을 통하여 나온 값을 비교하여 실제적인 오차를 파악하고 실제로 transistor가 어떻게 작동하는지를 알아본다.
3. 實驗(실험) 장비 및 재료
전원 : 가변 dc 전원
계측기 : dc 전류계 (2개), 멀티미터
저항 : 1/2 100Ω 1%, 1kΩ 1%, 1/4W 3.9Ω, 820Ω, 5kΩ (또는 4.7kΩ) 가변저항 (2개)
반도체 : 2N2222A (npn)
기타 : ON/OFF DIP 스위치 (2개)
4. 實驗(실험)절차 및 결과 分析(분석)
(실제 實驗(실험)은 저항 R1을 20k으로 하여 實驗(실험) 하였다.)
A. 측정(測定)
1. 주어진 transistor의 형(type)과 에미터, 베이스, 콜렉터 단자를 테스터를 사용하여 확인하라.
- 멀티테스터기 Range를 1R 에 두고 흑색 리드와 적색리드를 다음 순서로 측정(測定) 하여 NPN 형과 PNP 형을 먼저 구분.
A. transistor 다리 3개를 임의로 1,2,3 으로 정하고 1번핀에 적색을 고정하고 검은색리드를 나머지 2번과 3번에 …(drop)
순서
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