[공학] 전자회로 설계 및 test(실험) - 직렬 및 병렬 다이오드 구조
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작성일 23-09-25 10:35
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두 다이오드에서 얻어진
V값을 그림 3-2에 각각 기록하라. 만약 다이오드 검사기능 또는 커브 트레이서를 이용할 수 없다면 Si와 Ge에
대하여 각각 VT 〓 0.7 , 0.3V 로 가정하라
VT 〓 0.573 (측정(測定) 값)
2.직렬구조
a) 다음과 같이 회로를 구성하라. 저항 R값을 측정(測定) 하고 기록하라.
R(meas) 〓 2.168kΩ
b) 순서 1에서 측정(測定) 한 Si 다이오드의 문턱 전압과 R의 측정(測定) 값을 이용하여 VO와…(省略)
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순서
다.
實驗 소요장비
계측기 - DMM
부품 - 저항 - 다이오드
1) 1kΩ , 2.2kΩ 1)Si , 2)Ge
-전원 (직류전원)
實驗 순서
1.문턱전압 VT
Si과 Ge 두 다이오드에 대상으로하여 DMM의 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서를 사용하여 문턱 전압을 특정하라.
이 實驗에서 얻어진 점화 전위는 그림에서 보여준 각 다이오드의 등가적 특성(特性)을 나타낸다.설명
실험과제/기타
공학,전자회로,설계,실험,직렬,병렬,다이오드,구조,기타,실험과제
전자회로 설계 및 實驗 - 직렬 및 병렬 다이오드 구조
實驗 목적 : 직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고
측정(測定) 한다.
